网易科技讯 11月21日消息，工信部电信研究院院长曹淑敏近日出席“2011海峡两岸TDD宽带移动技术发展与合作高峰论坛”时透露，中国移动将联合4家芯片或终端厂商在今年年底前推出TD-LTE多模数据卡或双待手机。
这意味着，在TD-LTE规模技术试验快速推进的同时，这一领域的关键性环节——终端的研发生产，已经取得实质性进展。而在TD-LTE第一阶段的规模试验中，配合测试的主要是单模终端。
据了解，在工信部批复同意TD-LTE规模技术试验总体方案之后，中国移动已联合产业链相关厂商从今年年初开始，在上海、杭州、南京、广州、深圳、厦门六个城市建设TD-LTE规模试验网。
据悉，中国移动已投入超过6亿元资金，在上述六个城市建设了超过850个基站的TD-LTE规模试验网络，并与7家网络设备厂商和3家芯片厂商完成了TD-LTE规模试验的第一阶段测试工作。
按照计划，中国移动将在2012年6月底之前完成TD-LTE规模试验的第二阶段测试工作，并将在此期间新建1-2万个TD-LTE基站。
曹淑敏介绍，目前已有8家系统厂商（华为、诺西、中兴、大唐、上海贝尔、摩托罗拉、爱立信、烽火）完成TD-LTE测试，另有3家系统厂商（新邮通、普天、三星）正在进行测试。此外，已有6家芯片厂商（华为海思、创毅视讯、高通、Altair、中兴微电子、Sequans）完成测试，另有4家芯片厂商（联芯、重邮信科、展讯、意法爱立信）正在测试。
据悉，在完成了规模试验网第一阶段的TD-LTE单模芯片数据卡测试之后，中国移动将在第二阶段完成多模数据卡及双待手机的测试。目前，中国移动已经开始批量采购TD-LTE终端用于第二阶段的测试。
据曹淑敏介绍，TD-LTE多模终端及芯片的研发进展有两个阶段，一是可较快引入的多模双待（单芯片或双芯片）方案；另一个是未来发展方向，即多模单待（单芯片）方案。
其中，TD-LTE单模芯片和TD-SCDMA/GSM商用芯片，组合形成双芯片多模终端。目前，3家厂商提供的TD-LTE多模芯片已进入工信部实验室进行的调测，4家芯片或终端厂商计划在今年第四季度提供TD-LTE多模数据卡或双待手机。
而多模单待方案则采用40纳米工艺，至少支持TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模。据曹淑敏介绍，7家芯片厂商将于2012年提供单芯片多模终端，另有部分芯片厂商计划在2012年底或2013年提供。
按照中国移动对TD-LTE终端的规划，2011年将完成商用数据卡的研发及生产，推出手机原型机；2012年使数据卡达到规模商用水平，手机达到商用水平；2013年使数据卡和手机达到大规模商用水平。
实际上，上述规划已在2011年实现重大突破。据中国移动研究院副院长黄宇红介绍，目前已有华为、中兴两款数据卡实现商用供货水平，另有包括多模双待样机（中兴、酷派）、数据卡（Altair、高通、创毅视讯、海思、三星、Sequans）、平板电脑和上网本（广达、诺基亚）、CPE（海思、创毅视讯）等在内的超过35款各类终端产品已研发出样。（陈敏）
(本文来源：网易科技报道 )
